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    红米史上最强!Redmi K50 Pro遭曝光:搭载天玑9000旗舰4nm芯片

      [  中关村在线 原创  ]   作者:姚立伟

    上月底,红米手机举行发布会,发布了Redmi Note 11系列新机,其中Redmi Note 11 Pro+支持120W快充,宣称仅需15分钟就能充至100%,足以秒杀iPhone 13系列中功率最高的27W快充。


    然而,红米手机并未止步于此,其新旗舰机型K50系列似乎又有了新消息。

    今日,数码博主博主@数码闲聊站发文称:“明年正代旗舰机型用天玑9000不要感到意外,这颗芯片业内风评比骁龙8 Gen1好一些。”


    从评论中透露的信息来看,这里代指的很有可能就是Redmi K50系列系列的“大杯”机型——Redmi K50 Pro

    据之前报道,Redmi K50系列核心规格已经基本明确,三款机型应该会分别采用不同配置,其中Redmi K50将搭载联发科次旗舰天玑7000芯片,性能超过目前最火的骁龙870。

    Redmi K50 Pro搭载天玑9000,采用4nm工艺打造,拥有不弱于骁龙8 Gen1的性能输出,只是可能会在影像ISP等方面稍弱一些。

    Redmi K50 Pro+作为顶配旗舰,可能会搭载骁龙8 Gen1,各方面的综合性能应该会更加出色。

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    mobile.zol.com.cn true https://mobile.zol.com.cn/782/7822639.html report 1192 上月底,红米手机举行发布会,发布了Redmi Note 11系列新机,其中Redmi Note 11 Pro+支持120W快充,宣称仅需15分钟就能充至100%,足以秒杀iPhone 13系列中功率最高的27W快充。Redmi K40(8GB/128GB/全网通/5G版) 高通骁龙870,4800万像素三摄,7.8mm轻薄设计,452...
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