此前有消息称，三星Galaxy S23/Ultra系列将搭载更快的LPDDR5X内存和UFS 4.0存储，然而最新消息显示，并非所有机型都是这样的高规格。根据数码博主@Ice Universe爆料，三星Galaxy S23标准版128GB将配备UFS 3.1闪存，使其读写速度低于其他型号的UFS 4.0闪存。
LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5 (6.4Gbps)快约1.2倍，有望在下一代智能手机上提升超高分辨率视频录制性能和语音识别、图像识别、自然语言处理等人工智能功能。三星LPDDR5X内存采用先进的电路设计和动态电压频率缩放，功耗可降低约20%。
UFS 4.0存储芯片提供高达4200MB/s的顺序数据读取速度和高达2800MB/s的顺序写入速度。这是UFS 3.1存储速度的两倍，后者提供高达2100MB/s的顺序读取速度和高达1200MB/s的顺序写入速度。UFS 3.1存储速度因容量而异，128GB芯片版顺序写入速度为850MB/s。
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