中兴Grand SⅡ LTE机身的四个角比较圆润，机身侧面的设计同样是十分简洁的，机身底部的是Micro USB接口，而3.5毫米耳机接口被设计在机身顶部，电源键和音量调节按键被设计在机身右侧，机身左侧下方还有一个开启机身后盖的抠槽。

中兴Grand SⅡ LTE机身顶部

中兴Grand SⅡ LTE机身底部

中兴Grand SⅡ LTE机身右侧

中兴Grand SⅡ LTE的后盖抠槽

      中兴Grand SⅡ LTE采用了可更换的电池的设计，机身内部标配了一块3100毫安时的电池，能能够提供非常良好的续航能力。中兴Grand SⅡ LTE为单卡机型，SIM卡插槽和Micro SD存储卡插槽都位于电池的上方。

中兴Grand SⅡ LTE机身内部

中兴Grand SⅡ LTE的SIM卡插槽和Micro SD存储卡插槽

      5.5英寸大屏幕，2.3GHz高四核处理器，200万+1300万像素高清摄像头，支持LTE 4G网络，这可以说中兴Grand SⅡ LTE的硬件配置规格非常高，而中兴Grand SⅡ LTE的售价却仅仅为1699元，性价比高到这种程度的智能手机在如今的市场确实很少见。

中兴Grand S系列的第二款机型——中兴Grand SⅡ首次亮相是在今年年初的CES2014展上，相比上一代中兴Grand S，该机的外观设计有了很大改变，而硬件配置更是与时俱进的搭载了目前性能最强的高通骁龙801处理器，同时该加入了对LTE网络的支持，是这款新机顺理成章的成为了中兴的最强旗舰机型。