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    台积电狂抢最先进EUV光刻机

      [  中关村在线 原创  ]   作者:王晔

    不久前,欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示,在与ASML公司的合作下,更加先进的光刻机已经取得了进展。

    目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计,至于设备的商业化。要等到至少2022年,而等到台积电和三星拿到设备,之前要在2023年。

    台积电在材料上的研究,也让1nm成为可能。台积电和交大联手,开发出全球最薄、厚度只有0.7纳米的超薄二维半导体材料绝缘体,可望借此进一步开发出2纳米甚至1纳米的电晶体通道。台积电正为2nm之后的先进制程持续觅地,包含桥头科、路竹科,均在台积电评估中长期投资设厂的考量之列。

    2021年将是5nm迸发的一年,相对3nm也是诞生或者萌芽的一年。

    狂购最先进EUV光刻机:台积电开始为1nm制程做准备

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    mobile.zol.com.cn true //mobile.zol.com.cn/759/7596224.html report 591 不久前,欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示,在与ASML公司的合作下,更加先进的光刻机已经取得了进展。目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计,至于设备的商业化。要等到至少2022年,而等到台积电和三星拿...
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