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    三星做出全球首个3nm芯片：明年量产

      [  中关村在线 原创  ]   作者：王晔

    近些年，台积电在芯片制造业风生水起，7nm、5nm接了业内众多巨头的订单，财报方面也是收获颇丰。

    而近日，三星首次展示了3nm的制造工艺，并且将其公布于世，这是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片，而三星方面也分享了半导体产业的路线图，10nm后紧接着就是7nm和3nm，其余全是升级改善型的工艺，比如人们所熟知的5nm。

    三星全球首秀3nm！电压只需0.23V

    三星将在3nm工艺上第一次应用环绕栅极场效应晶体管技术，相对木目前的立体晶体管有着结构性的突破，再次实现了晶体管结构的突破。

    三星全球首秀3nm！电压只需0.23V

    三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，目前三星方面称，该芯片可以在明年量产，性能相比上一代有着30%的提升，而且功耗最多可降低50%。

    三星全球首秀3nm！电压只需0.23V

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    mobile.zol.com.cn true https://mobile.zol.com.cn/764/7643226.html report 573 近些年，台积电在芯片制造业风生水起，7nm、5nm接了业内众多巨头的订单，财报方面也是收获颇丰。而近日，三星首次展示了3nm的制造工艺，并且将其公布于世，这是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片，而三星方面也分享了半导体产业的路线图，10nm后紧接着就是7nm和3nm，其...
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