热点:

    赛微电子拟投资10亿 发展硅基氮化镓功率器件

      [  中关村在线 原创  ]   作者:王华健   |  责编:李志新

    中关村在线消息:近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告,公告显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。

    据悉该项目一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力,将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。

    赛微电子拟投资10亿 发展硅基氮化镓功率器件

    据了解,GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料,第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体材料,与第一、二代相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

    本文属于原创文章,如若转载,请注明来源:赛微电子拟投资10亿 发展硅基氮化镓功率器件https://mobile.zol.com.cn/765/7657437.html

    mobile.zol.com.cn true https://mobile.zol.com.cn/765/7657437.html report 882 中关村在线消息:近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告,公告显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。据悉该项目一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆500...
    提示:支持键盘“← →”键翻页阅读全文
    本文导航
    • 第1页:赛微电子投资氮化镓器件
    • 猜你喜欢
    • 最新
    • 精选
    • 相关
    推荐经销商
    投诉欺诈商家: 010-83417888-9185
    • 北京
    • 上海
    • 热门手机
    • 新品上市
    推荐问答
    提问
    0

    下载ZOL APP
    秒看最新热品

    内容纠错