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    三星已开始生产基于极紫外光技术的14nm DRAM

      [  中关村在线 原创  ]   作者:刘芳佐

    今日消息,三星宣布已开始大规模生产基于极紫外(EUV)光技术的14nm DRAM。

    三星已开始生产基于极紫外光技术的14nm DRAM

    继去年3月首款EUV DRAM出货后,目前EUV层数将增至5层,这将为DDR5提供更好的解决方案。

    三星通过在14nm DRAM中增加五个EUV层实现了超高的比特密度,同时将整体晶圆生产率提高了约20%。此外,与上一代DRAM相比,14nm工艺有助于将功耗降低近20%。

    根据最新的DDR5标准,三星的14nm DRAM可以带来7.2Gbps的超高速,是上一代DDR4最高速度3.2Gbps的两倍多。

    三星已开始生产基于极紫外光技术的14nm DRAM

    与此同时,三星计划扩大14nm DDR5的产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外,三星预计将其14 nm DRAM芯片密度提升至24Gb,以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求。

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