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    联发科成功流片台积电2纳米芯片,性能提升18%

      [  中关村在线 原创  ]   作者:一便士的月亮

    联发科今日在其官方网站发布消息,宣布已成功完成首款基于台积电2纳米制程的旗舰级系统单芯片(SoC)设计流片(Tape out),成为全球首批进入该制程阶段的芯片厂商之一。这款芯片预计将在明年年底开始量产并正式上市。

    尽管官方尚未透露具体的芯片型号,但从产品研发节奏来看,这款芯片极有可能就是下一代天玑9系列旗舰产品——天玑9600。

    据悉,台积电的2纳米制程技术首次引入了纳米片(Nanosheet)晶体管结构,相较于此前的制程技术,在性能、功耗控制和制造良率方面均有显著提升。与台积电当前的N3E制程相比,新一代2纳米技术的逻辑密度提升了1.2倍,在相同功耗水平下,性能可提升最多达18%,同时在相同频率下,功耗则可降低约36%。

    联发科表示,长期以来,公司与台积电在多个关键应用领域,如高端移动平台、计算芯片、车载系统和数据中心等领域,持续展开深入合作,致力于打造高性能、高能效的芯片解决方案。此次2纳米芯片的流片成功,标志着双方在合作关系和技术协同方面迈入了一个新的阶段。

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