背照式/积层式改善了哪儿？

    这其中，三星GALAXY S Ⅲ采用了800万像素的背照式CMOS传感器，相信对于背照式CMOS，稍微了解一些摄影知识的朋友都很明了。在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管的后方，进光量会因遮挡受到一定影响。而在背照式CMOS中，入射光首先进入感光二极管，相对于传统CMOS而言进光量得到了提高，因而能显著提高低光照条件下的拍摄效果。

里面型（背照式）CMOS成像原理

    而对于三星GALAXY S4所采用的积层式（也叫堆栈式）CMOS可能就有一些朋友不太知晓了，那么，积层式CMOS又是什么含义呢？
 
    积层式CMOS是索尼公司在2012年8月推出的全新感光元件，它使用有信号处理电路的芯片替代了背照式CMOS图像传感器中的支持基板，在芯片上重叠形成背照CMOS元件的像素部分，从而实现了在较小的芯片尺寸上形成大量像素点的工艺。由于像素部分和电路部分分别独立，因此像素部分可以针对高画质优化，电路部分可以针对高性能优化。

积层式CMOS

    通俗一点说的话，积层式CMOS可以看成是背照式CMOS的衍生和进化产品，通过将电路组件安置在感光组件的下方，为设备腾出了更多的空间，在性能提升的同时还减小了体积。

积层式CMOS工作原理（图片来自ibtimes）

    索尼公司在2012年一共推出了三种尺寸的Exmor RS积层型CMOS传感器，分别是1/3.06英寸1313万有效像素的IMX135，1/4英寸808万有效像素的IMX134和1/4英寸808万有效像素的ISX014。那么，通过像素值大家也应该看得出来，三星GALAXY S4使用的应该就是这款型号为IMX135的CMOS传感器了。

    那么，如果纯凭理论分析的话，我们大致可以得出这样的结论：画质上三星GALAXY S4>三星GALAXY S Ⅲ>三星GALAXY S Ⅱ，但事实究竟如何呢？我们还是要通过实践得真知。可能有人会问这篇文章里为什么没有三星GALAXY S的身影？笔者这里提一下，为了保证三款手机所拍摄的样张像素值都相同，只有500万像素的三星GALAXY S没有入选。