除了功耗优化之外，快充技术也支持到了最新的QuickCharge 3.0，Quick Charge 3.0能够在35分钟时间内充满电池容量为2750mAh的手机80%的电量（数据来自QTI），充电速度是传统充电方式的四倍，是Quick Charge 1.0的两倍，比Quick Charge 2.0充电效率高38%
Quick Charge 3.0采用最佳电压智能协商（INOV）算法，可以根据掌上终端确定需要的功率，在任意时刻实现最佳功率传输，同时实现效率最大化。另外，其电压选项范围更宽，移动终端可动态调整到其支持的最佳电压水平。具体来说，Quick Charge 3.0支持更细化的电压选择：以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这样，你的手机可以从数十种功率水平中选择最适合的一档。
而这项快充技术除了骁龙820，也出现在骁龙620、618、617、430等高通最近发布的几款新SoC上。与之前版本一样，最新版本同样采用便于OEM厂商实施的设计。它百分之百向后兼容Quick Charge 1.0和Quick Charge 2.0终端，并支持多种类型的接口：Quick Charge 3.0可使用USB Type-A、USB micro、USB Type-C或专用接口。
14nm FinFET LPP工艺
骁龙820处理器将采用14nm FinFET LPP(Low Power Plus)工艺，也就是说将由三星代工，三星14nm FinFET制程LPE（Low Power Early，Exynos7420和A9采用的旧版）版本相较于既有20nm 制程，晶片速度提升20%，耗电量降低约35%，且LPP版本整体性能和耗电量表现，更明显优于旧版LPE。它将如约出现在2016年的大部分旗舰智能机上
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