2013年1月8日——1月11日，一年一度的CES国际消费电子产品展又会在美国拉斯维加斯国际会展中心拉开帷幕。作为全球第一大消费电子展，每年CES都会云集全世界各地厂商参展，为广大消费者带来最前沿的新产品、新技术，同时也会吸引大量科技爱好者前来参观。此次中关村在线再次派出了最强大的前方报道团队，届时您将会看到来自三星、中兴、联想、华为等厂商的全新旗舰级智能手机悉数登场，也可以第一时间了解到高通、马维尔、英特尔等芯片厂商的最新动向。关注科技、热爱互联网，一切尽在《芯片商竞逐/系统商混战/终端商淘汰 ZOL手机频道CES2013现场火热报道》。
中兴Grand S LTE无疑是本次CES当中发布的一款非常勾人眼球的机型。这款手机的综合能力可谓强大，不仅在配置上达到了目前的最高端水准，并且在外观设计上也是具有很大的特色，是目前最薄的四核智能手机，并且获得了iF设计大奖。下面为大家呈现这款中兴Grand S LTE的深度体验文章，一起来对中兴Grand S LTE进行一下了解。
中兴Grand S LTE
中兴Grand S LTE软硬件配置——
Android4.1操作系统；
5英寸的1080p屏幕；
1.7GHz的四核骁龙S4 Pro处理器；
2GB的系统内存+16GB的机身存储；
前置200万像素摄像头，主摄像头高达1300万像素；
支持4G LTE网络、蓝牙4.0、MHL传输等。
中兴Grand S LTE的三围为142*70*6.9毫米，6.9毫米的超薄机身厚度达到了目前四核智能手机的最薄的水准，相当霸气。该机正面采用5英寸的1080p屏幕，屏幕像素密度（每英寸对角线的像素数量）达到了441ppi，所以显示效果还是相当细腻的。
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