中兴Grand SⅡ LTE采用骁龙801 MSM8974AB四核芯处理器,拥有四颗Krait 400核心,高通Adreno330主频率提升至550MHz,内存存取速率提升17%,综合性能表现十分突出,比上一代骁龙800要强出更多,这使得该机在跑分表现上同样给力,接近35000的得分。
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中兴Grand SⅡ LTE机身背面
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中兴Grand SⅡ LTE
中兴Grand SⅡ LTE采用了具有金属拉丝般质感的设计,和以往的金属拉丝设计手机不同的是,中兴Grand SⅡ LTE给人带了更多刚毅的感觉。中兴Grand SⅡ LTE机身背面是一颗1300万像素摄像头,在摄像头上方设计有一个降噪麦克风,左侧是一个扬声器,而右侧拥有一颗LED闪光灯。
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中兴Grand SⅡ LTE机身背面配有1300万像素摄像头
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扬声器和闪光灯位于摄像头两侧
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中兴Grand SⅡ LTE采用了具有金属拉丝般质感的设计
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753
中兴Grand SⅡ LTE采用骁龙801 MSM8974AB四核芯处理器,拥有四颗Krait 400核心,高通Adreno330主频率提升至550MHz,内存存取速率提升17%,综合性能表现十分突出,比上一代骁龙800要强出更多,这使得该机在跑分表现上同样给力,接近3500...
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