中兴Grand SⅡ LTE采用骁龙801 MSM8974AB四核芯处理器，拥有四颗Krait 400核心，高通Adreno330主频率提升至550MHz，内存存取速率提升17%，综合性能表现十分突出，比上一代骁龙800要强出更多，这使得该机在跑分表现上同样给力，接近35000的得分。

中兴Grand SⅡ LTE机身背面

中兴Grand SⅡ LTE

      中兴Grand SⅡ LTE采用了具有金属拉丝般质感的设计，和以往的金属拉丝设计手机不同的是，中兴Grand SⅡ LTE给人带了更多刚毅的感觉。中兴Grand SⅡ LTE机身背面是一颗1300万像素摄像头，在摄像头上方设计有一个降噪麦克风，左侧是一个扬声器，而右侧拥有一颗LED闪光灯。

中兴Grand SⅡ LTE机身背面配有1300万像素摄像头

扬声器和闪光灯位于摄像头两侧

中兴Grand SⅡ LTE采用了具有金属拉丝般质感的设计