中国科学院近期成功研发了一项突破性的固态DUV（深紫外）激光技术，这种技术能够发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致。这一技术的成功，为推动半导体工艺的发展至3nm节点奠定了基础。
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目前，全球领先的光刻机制造商如ASML、佳能、尼康等，都采用了氟化氙（ArF）准分子激光技术，通过氩气和氟气混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子。这些光子以高能量短脉冲的形式发射，输出功率达到100-120W，频率为8k-9kHz，并通过光学系统调整后用于光刻设备。
与现有技术不同，中科院的固态DUV激光系统采用全固态设计，基于自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030nm激光。然后，激光通过两条光学路径进行波长转换。其中，一条路径采用四次谐波转换（FHG）将1030nm激光转为258nm，输出功率为1.2W；另一条路径则通过光学参数放大（OPA）将其转为1553nm，输出功率为700mW。
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