近日，有消息称三星 Galaxy S26 手机将搭载自研的 Exynos 2600 处理器，并主要面向欧洲市场销售。其他地区的版本则可能继续采用高通骁龙系列芯片。
此前有报道指出，三星计划于 2025 年 11 月开始量产其首款基于 2 纳米工艺打造的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 成为该芯片的首发机型，三星将有机会向外界展示其在先进制程技术方面的实力，进而吸引更多的合作伙伴与客户。
Exynos 2600 采用的是 Gate-All-Around（环绕栅极）技术，相较于传统 FinFET 工艺，这种新型结构能够更有效地控制电流，从而在提升性能的同时实现更低的功耗，特别适合高负载应用场景的需求。
三星早前已实现了 3 纳米 GAA 技术的量产，但由于良品率偏低，未能带来预期的市场收益。据相关资料显示，目前 2 纳米工艺的生产良率相比年初已有明显提升，已由最初的 20%-30% 上升至 40% 以上，表现优于上一代 3 纳米工艺。
不过，与行业领先者相比，三星仍存在一定差距。据悉，竞争对手的 2 纳米工艺在初期阶段的良率已达到 60%，而大规模量产通常需要良率稳定在 70%-80% 的区间。为缩小这一差距，三星计划在接下来的几个月内持续改进制造工艺和技术水平。
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